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全國2008年7月電子技術基礎(一)試卷

湖北自考網 來源: 時間:2008-11-09 15:40:16
         全國2008年7月電子技術基礎(一)試卷
       
 
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全國2008年7月電子技術基礎(一)試卷
課程代碼:02234
一、單項選擇題(本大題共15小題,每小題2分,共30分)
在每小題列出的四個備選項中只有一個是符合題目要求的,請將其代碼填寫在題后的括號內。錯選、多選或未選均無分。
1.P型半導體中多數載流子是(   )
A.自由電子 B.空穴
C.負離子 D.正離子
2. 理想二極管構成的電路如題2圖所示,則輸出電壓U0為(  ?。?br>A.-10V B.-6V
C.-4V D.+4V

3. 半導體三極管處在放大狀態(tài)時是(  ?。?br>A.C結反偏e結反偏 B.C結正偏e結正偏
C.C結正偏e結反偏 D.C結反偏e結正偏
4. 測得某電路中半導體三極管各管腳的電位如題4圖所示,則該管是處在(  ?。?br>A.放大狀態(tài) B.飽和狀態(tài)
C.截止狀態(tài) D.不確定狀態(tài)

5. 下述基本放大電路相比較,輸入電阻高輸出電阻低的是(  ?。?br>A.共射極放大電路 B.共基極放大電路
C.共集電極放大電路 D.共源極放大電路
6.場效應管與半導體三極管比較,場效應管是(  ?。?br>A.輸入電阻低,輸出電阻低 B.電壓控制器件
C.輸入電阻低,熱穩(wěn)定性能好 D.輸入電阻低,輸入電流小
7. 為使輸入電阻提高,在放大電路中應引入交流(  ?。?br>A.電壓負反饋 B.電流負反饋
C.并聯(lián)負反饋 D.串聯(lián)負反饋
8. 下述放大電路中低頻特性最好的是(  ?。?br>A.阻容耦合電路 B.變壓器耦合電路
C.直接耦合電路 D.OTL電路
9. 在雙端輸入的差動放大電路中,知ui1=10mv,ui2=-6mv,則共模輸入信號為(  ?。?br>A.4mv B.8mv
C.10mv D.2mv
10. 正弦波振蕩電路起振時的幅度條件是(  ?。?br>A.||<1 B.||=1
C.||>1 D.||=0
11. 邏輯函數F=AB+C的最小項表達式為(   )
A.F(ABC)=∑m(1.3.6.7) B.F(ABC)=∑m(2.3.6.7)
C.F(ABC)=∑m(1.2.6.7) D.F(ABC)=∑m(1.3.5.6)
12. 邏輯函數F(ABC)=A+C+C的最簡與或表達式為(  ?。?br>A.F=A+C B.F=A+
C.F=+B D.F=+
13. CMOS型門電路組成的邏輯電路如題13圖所示,其輸出函數F與A.B.C間的邏輯關系式為(  ?。?br>A.F=AB+C B.F=A+C
C.F=0 D.F=1

14. TTL型門電路組成的邏輯電路如題14圖所示,其輸出函數F的邏輯關系式為(  ?。?br>A.F=A+B B.F=
C.F=0 D.F=1

15. 要使邊沿觸發(fā)型JK觸發(fā)器具有Qn+1=的功能,其輸入信號必須滿足(  ?。?br>A.J=K=0 B.J=K=1
C.J=1,K=0 D.J=0,K=1
二、填空題(本大題共10小題,每空1分,共10分)
請在每小題的空格中填上正確答案。錯填、不填均無分。
16.二極管的反向電流IRM越小,說明二極管的_________性能越好。
17.在共射、共基、共集三種組態(tài)的基本放大電路中,輸入電阻最低的是_________放大電路。
18.交流負反饋有4種組態(tài),若要求輸入電阻高,輸出電阻高,在放大電路中應引入_________負反饋組態(tài)。
19.要穩(wěn)定靜態(tài)工作點,在放大電路中應引入_________負反饋。
20.單相橋式整流電容濾波電路接正常負載,知變壓器次級電壓有效值U2=15V,則輸出電壓平均值U0為_________V。
21.十進制數(36.9)10的8421BCD數是(_________)8421BCD。
22.已知函數F的最小項表達式為F(ABC)=m(1.3.4.5),其最簡與非表達式為F=_________。
23.由五級觸發(fā)器組成的計數器,其最大進制(模)數N=_________。
24.集成雙向移位寄存器74LS194應用電路如題24圖,設電路初始狀態(tài)為Q0Q1Q2Q3=1000,經過兩個CP脈沖作用后,電路狀態(tài)為Q0Q1Q2Q3=_________。

25.555定時器組成的施密特觸發(fā)器電路如題
......
......
結束
本文標簽
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